[发明专利]一种利用液态源雾化沉积催化剂制备硅纳米线的方法

摘要

本发明公开了一种利用液态源雾化沉积催化剂制备硅纳米线的方法，属于纳米材料制备技术领域。该方法包括如下步骤：将衬底在沉积室内加热到指定温度，通过液态源雾化法将催化剂溶液雾化并喷入沉积室内，常压条件下在衬底表面沉积催化剂膜后，将衬底放入高温炉内并置于保护气体环境中进行热处理，热处理结束冷却至室温后取出衬底，然后用酸液对衬底进行清洗去除杂质，再用超纯水清洗至中性，干燥后即得到硅纳米线。由于本方法常压下即可在衬底表面制备出催化剂膜，解决了溅射或蒸镀镀膜需要长时间抽真空的问题，因而能够显著提高硅纳米线的生产效率，降低成本，有利于规模化生产。

主权项

一种利用液态源雾化沉积催化剂制备硅纳米线的方法，其特征在于包括以下步骤：将衬底放入沉积室内并加热至30～300℃，在室温下按照一定质量分数配制催化剂溶液作为液态源，通过雾化器将所配制的液态源雾化成液滴并喷入沉积室内，液态源溶液的雾化消耗速率为1～60毫升/分钟，持续时间为1～60分钟，常压下在衬底表面沉积一定厚度的催化剂膜后，将衬底放入高温炉内，通入保护气体后升温至600～1500℃进行热处理，热处理时间为10～180分钟，热处理结束冷却至室温后取出衬底，然后用质量分数为40～98％的酸液对衬底进行清洗去除杂质，再用超纯水清洗至中性，干燥后即得到硅纳米线。