[发明专利]氮化物发光二极管组件无效
| 申请号： | 201410183738.6 | 申请日： | 2014-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN103985803A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;张家宏;卓昌正;林兓兓;谢翔麟;谢祥彬;徐志波 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 随着氮化物半导体组件应用扩大，除了具有高亮度外，降低组件操作电压与提高静电耐压的重要性也随之提高，本发明的氮化物组件，于p型氮化镓接触层成长高掺杂锥状接触层，此锥状接触层为不连续成长，提供较低的接触电阻，降低了组件操作电压与提升了静电耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 发光二极管 组件 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管组件，包括n型层、活性层、p型层，其中p型层包括第一p型层和第二p型层，其特征在于：所述第二p型层从下至上包括平坦接触层和锥状接触层，其锥状接触层为高掺杂锥状部，呈不连续成长。
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