[发明专利]无源集成转接板的制作方法及所对应的无源集成转接板有效
申请号: | 201410179187.6 | 申请日: | 2014-04-29 |
公开(公告)号: | CN103956326B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 王惠娟 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/538 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 路凯,胡彬 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新区太湖国际科技园菱湖大道20*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种无源集成转接板的制作方法及所对应的无源集成转接板。本发明通过先采用前道工艺在转接板的第一表面侧制作无源模块及无源模块的第一互联结构,由于前道工艺的光刻参数精准,工艺严格,可以制作出精度高和可靠性好的无源模块,同时采用高阻的转接板材料,制作的无源模块可以满足高Q低损耗;再通过采用后道工艺在转接板的第一表面侧制作用于与外部连接的第一凸点以及在转接板的第二表面侧完成通孔的制作和用于与外部连接的第二凸点,这种集成无源模块和通孔连接的方法既可以保证无源模块的性能优良,又可以降低集成成本。 | ||
搜索关键词: | 无源 集成 转接 制作方法 对应 | ||
【主权项】:
一种无源集成转接板的制作方法,其特征在于,包括:采用前道工艺,在转接板的第一表面上形成第一绝缘层;采用前道工艺,在第一绝缘层中形成无源模块及无源模块的第一互联结构,其中,第一互联结构包括第一金属电极;采用后道工艺,在所述第一绝缘层上形成第一钝化层和第一凸点,其中,所述第一凸点与所述第一金属电极直接接触;将所述转接板倒置,从与所述第一表面相对的第二表面将所述转接板减薄至预定的厚度,并从减薄后的所述转接板的第二表面沿纵向刻蚀所述转接板、所述第一绝缘层至所述第一金属电极,形成通孔;在所述通孔中形成第二互联结构;在所述第二表面上形成包括第三互联结构的互联层以及在所述互联层上形成第二钝化层和第二凸点,其中,所述第二凸点与所述第三互联结构直接接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,未经华进半导体封装先导技术研发中心有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410179187.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造