[发明专利]一种外延工艺腔体温度校准的方法在审
| 申请号： | 201410174739.4 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103938269A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 曹威;江润峰 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延工艺腔体温度校准的方法，属于半导体集成电路中衬底的外延工艺领域，首先建立硅本征外延层厚度-机台腔体温度的映射关系，在生产工艺监控过程中，检查硅本征外延层是否存在局部厚度超过预设阈值，进而通过温度调节装置校准机台腔体温度。本发明提供的方法简单高效，适用于工业生产中硅片温度的日常监控，可提高温度控制精度，此外还可有效探测机台内是否出现腔体污染或石英组件破裂等问题；另外，本发明提供的外延膜层结构，通过设置固定的锗浓度，在进行光学测量膜层厚度时，可以更清晰的分清各外延层之间的界面，使测量外延层厚度更加容易同时精准。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外延 工艺 体温 校准 方法 | ||
【主权项】：
一种外延工艺腔体温度校准的方法，其特征在于，包括：步骤S01、建立硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系；其中，所述步骤S01具体包括：步骤S011、提供若干硅衬底，且在各硅衬底上依次形成硅锗外延层和硅本征外延层；其中，所述各硅本征外延层预设为不同的厚度；步骤S012、针对不同厚度的硅本征外延层，分别记录热偶测量机台腔体的实际温度，进而将各硅本征外延层厚度值和机台腔体温度值一一对应,形成硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系；步骤S02、生产工艺监控过程中，根据硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系，通过温度调节装置校准机台腔体温度；其中，所述步骤S02具体包括：步骤S021、通过光学测量硅本征外延层的厚度分布，检查硅本征外延层是否存在局部厚度超过预设阈值；步骤S022、若硅本征外延层存在局部厚度超过预设阈值，则根据硅本征外延层厚度‑机台腔体温度的映射关系，通过温度调节装置校准机台腔体温度。
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