[发明专利]双栅极的分离方法有效
| 申请号： | 201410174398.0 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928348B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;周军;朱亚丹;曾真;钟斌;贺忻 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅极的分离方法，其包括在鳍式场效晶体管的每个鳍顶端设置一硬掩膜层；有选择地部分或全部去除掉鳍顶端设置的硬掩膜层，并沉积栅极材料形成栅极层；在所述栅极层上表面形成一光阻层，并裸露仍保留硬掩膜层的鳍对应的栅极；通过刻蚀工艺部分刻蚀掉未去除掉硬掩膜层的鳍对应的栅极，停止于仍保留硬掩膜层的鳍顶端设置的硬掩膜层使对应的栅极高度降低并裸露；以及去除所述栅极层之上的剩余的光阻层。本发明中，在前期结构中增加了硬掩膜层以及光阻层，可以准确的控制刻蚀的准确度，避免对结构的损伤，从而可以降低自对准的难度。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 分离 方法 | ||
【主权项】：
一种双栅极的分离方法，其特征在于，包括：在鳍式场效晶体管的每个鳍顶端设置一硬掩膜层；有选择地部分或全部去除掉鳍顶端设置的硬掩膜层，并沉积栅极材料形成栅极层；在所述栅极层上表面形成一光阻层，并裸露仍保留硬掩膜层的鳍对应的栅极；通过刻蚀工艺部分刻蚀掉未去除掉硬掩膜层的鳍对应的栅极，停止于仍保留硬掩膜层的鳍顶端设置的硬掩膜层使对应的栅极高度降低并裸露；去除所述栅极层之上的剩余的光阻层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
