[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法在审
| 申请号： | 201410170902.X | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097710A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 辛龙宝;黄添旺 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/34;H01L21/28;H01L29/417;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;吕俊清 |
| 地址： | 201500 上海市金*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，包括：在透光的基板上形成栅极，并在所述栅极上方设置覆盖所述栅极和透光基板的第一绝缘层；在所述第一绝缘层的上方形成IGZO层；对所述IGZO层进行处理，以形成源极和漏极；在经过步骤S3处理后的所述IGZO层的上方设置第二绝缘层，对所述IGZO层进行绝缘保护，并在所述第二绝缘层中开设连通至所述IGZO层的接触孔以及在所述接触孔形成电极。由于本发明不需要形成第二金属层，因而避免了形成第二金属层中进行光刻工艺的过程，缩减了工艺流程、提高了工作效率，并减小TFT尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板的制造方法，包括步骤：S1：在透光基板上形成栅极，并在所述栅极的上方设置覆盖所述栅极和所述透光基板的第一绝缘层；S2：在所述第一绝缘层的上方形成图案化的IGZO层；S3：对所述IGZO层进行处理，以形成源极和漏极；S4：在经过步骤S3处理后的所述IGZO层的上方设置第二绝缘层，对所述IGZO层进行绝缘保护；S5：在所述第二绝缘层中开设连通至所述源极/漏极的接触孔，并在所述接触孔中沉积电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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