[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管(TFT)阵列基板及其制造方法，可用于有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)。

背景技术

现行制造有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，AMOLED)的薄膜场效应晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板主要是以低温多晶硅(LTPS)、非晶硅(a-Si)作为半导体材料。制作方法以镀膜、光刻、蚀刻为主。制作流程如图1和图2所示。

如图1，LTPS作为半导体材料的TFT阵列基板制作流程为：

S1’：在玻璃基板上形成LTPS半导体层；

S2’：在LTPS半导体层上形成栅绝缘层和具有栅极(Gate)的第一金属层；

S3’：在第一金属层上形成第一绝缘层，以对第一金属层进行绝缘保护，并在第一绝缘层上形成贯穿第一绝缘层的两个第一接触孔；

S4’：在第一绝缘层的上方形成具有源极(Sourceelectrode)和漏极(Drainelectrode)的第二金属层；

S5’：在第二金属层上形成第二绝缘层，对第二金属层进行绝缘保护，并在第二绝缘层上对应于两个第一接触孔的位置形成与第一接触孔连通的两个第二接触孔；

S6’：在第一和第二接触孔中沉积金属材料以制作电极；

S7’：在电极的上方形成第三绝缘层，对该电极进行绝缘保护。

如图2，a-Si作为半导体材料的TFT阵列基板的制作流程为：

S1”：在玻璃基板上形成具有栅极(Gate)的第一金属层，并在第一金属层上方形成第一绝缘层，对第一金属层进行绝缘保护；

S2”：在第一绝缘层上形成a-Si半导体层；

S3”：在a-Si半导体层上形成具有源极(Source)和漏极(Drain)的第二金属层；

S4”：在第二金属层的上方形成第二绝缘层，对第二金属层进行绝缘保护，并在第二绝缘层上开孔，形成接触源极和漏极的两个接触孔；

S5”：在两个接触孔中沉积金属材料以制作电极；

S6”：在电极的上方形成第三绝缘层，对该电极进行绝缘保护。

现有制造AMOLED的TFT阵列基板的技术均需要重复上述制作流程，不仅需要长时间的制作，而且非常耗费人力及影响设备的稼动率。

发明内容

本发明的目的是提出一种TFT阵列基板及其制造方法，能够缩短制造流程，提高设备稼动率，并减小TFT阵列基板的尺寸。

为实现上述目的，本发明提出一种TFT阵列基板的制造方法，包括步骤：

S1：在透光基板上形成栅极，并在所述栅极的上方设置覆盖所述栅极和所述透光基板的第一绝缘层；

S2：在所述第一绝缘层的上方形成图案化的IGZO层；

S3：对所述IGZO层进行处理，以形成源极和漏极；

S4：在经过步骤S3处理后的所述IGZO层的上方设置第二绝缘层，对所述IGZO层进行绝缘保护；

S5：在所述第二绝缘层中开设连通至所述源极/漏极的接触孔，并在所述接触孔中沉积电极。

在本发明一实施例中，在所述步骤S2中，所述IGZO层是呈岛状覆盖在所述第一绝缘层上，并具有位于所述栅极上方并对应所述栅极位置的第一区域和相邻于所述第一区域的第二区域。

在本发明一实施例中，所述步骤S3包括：

S3-1：形成IGZO材料层，对IGZO材料层进行光刻工艺和蚀刻工艺，形成位于栅极上方的图案化的IGZO层；

S3-2：从所述透光基板下方照射光，使所述第二区域在光照之后具有导电特性，从而以自对准方式形成源极和漏极。

在本发明一实施例中，所述第一区域在光照之后保留半导体特性。

在本发明一实施例中，，在所述步骤3-2中，是利用UV光或近UV频段的光进行光照。

在本发明一实施例中，所述步骤S1中是在所述透光基板上形成第一金属层，并通过光刻工艺和蚀刻工艺形成所述栅极。

在本发明一实施例中，所述步骤S5中是在所述接触孔中沉积金属材料以形成所述电极。

在本发明一实施例中，还包括：

在设置第二绝缘层之后，从基板的上方对所述IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极。

在本发明一实施例中，所述透光基板为玻璃基板。

本发明还提出一种TFT阵列基板，包括

透光基板；

栅极；