[发明专利]可持续供应MO源的装置有效
申请号: | 201410168822.0 | 申请日: | 2014-04-25 |
公开(公告)号: | CN103924218B | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 俞冬雷;武利曙;徐昕 | 申请(专利权)人: | 安徽亚格盛电子新材料有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 沈志海 |
地址: | 241009 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种可持续供应MO源的装置,所述包括有MO源气体储罐、出气管、高纯载气管,所述MO源气体储罐上连接有出气管,所述出气管与高纯载气管的末端相连通后连接在MOCVD设备上,所述MO源气体储罐设置在加热包里,所述MO源气体储罐上设置有压力温度探头;将MO源与高纯载气混合到需要的配比浓度,然后加压存储在高压容器中,高压容器放置在较高温度,这样MO源全部气化并且不会分解温度,最后通过管道直接将混合气输送到MOCVD设备,通过质量流量控制器控制使用量,当压力温度探头检测到压力下降到报警点时,会自动切换到备用MO源气体存储罐进行工作,解决了MO源持续供应麻烦的问题。 | ||
搜索关键词: | 可持续 供应 mo 装置 | ||
【主权项】:
一种可持续供应MO源的装置,其特征在于:包括有MO源气体储罐(1)、出气管(2)、高纯载气管(3),所述MO源气体储罐(1)上连接有出气管(2),所述出气管(2)与高纯载气管(3)的末端相连通后连接在MOCVD设备上,所述MO源气体储罐(1)设置在加热包(4)里,所述MO源气体储罐(1)上设置有压力温度探头(5),所述MO源气体储罐(1)的右侧设置有备用MO源气体储罐,防止MO源气体储罐中MO源不够无法工作。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的