[发明专利]稀土类磁体及其制造方法有效
申请号: | 201410168608.5 | 申请日: | 2014-04-24 |
公开(公告)号: | CN104124016B | 公开(公告)日: | 2018-09-28 |
发明(设计)人: | 桥野早人;辻隆之;梶并佳朋;吉川纪夫;小川宏二 | 申请(专利权)人: | 株式会社五合 |
主分类号: | H01F1/053 | 分类号: | H01F1/053;H01F41/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及稀土类磁体及其制造方法。本发明提供包括耐热性优良并且韧性高的保护层的稀土类磁体,由此由于该保护层使得该稀土类磁体难以被氧化。具体地,稀土类磁体10在稀土类磁体本体11的表面上设置有保护层12。在保护层12中,薄片16分散于由固体碱金属硅酸盐制成的基体15A和15B内,并且薄片16具有比基体的硬度更高的硬度以及具有200℃以上的熔点。在保护层12中,基体15A和15B的韧性高,此外,即使当裂纹发生时,也防止裂纹的发展。因此,没有产生贯通保护层12的裂纹,并且防止空气、或水等进入稀土类磁体本体11中以氧化稀土类磁体本体11。 | ||
搜索关键词: | 稀土 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种稀土类磁体,其包括稀土类磁体本体和设置在所述稀土类磁体本体的表面上的保护层,其中,在所述保护层中,薄片分散于由固体碱金属硅酸盐制成的基体中,所述薄片具有比所述基体的硬度更高的硬度并且具有200℃以上的熔点;所述薄片由二氧化硅、天然玻璃或者二氧化硅与天然玻璃的混合物制成。
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