[发明专利]稀土类磁体及其制造方法

权利要求书

1.一种稀土类磁体，其包括稀土类磁体本体和设置在所述稀土类磁体本体的表面上的保护层，

其中，在所述保护层中，薄片分散于由固体碱金属硅酸盐制成的基体中，所述薄片具有比所述基体的硬度更高的硬度并且具有200℃以上的熔点；

所述薄片由二氧化硅、天然玻璃或者二氧化硅与天然玻璃的混合物制成。

2.根据权利要求1所述的稀土类磁体，其中所述薄片由二氧化硅制成。

3.根据权利要求1所述的稀土类磁体，其中所述基体包含Al₂O₃和B₂O₃的任意之一或两者。

4.根据权利要求2所述的稀土类磁体，其中所述基体包含Al₂O₃和B₂O₃的任意之一或两者。

5.根据权利要求3所述的稀土类磁体，其中所述保护层具有包括外侧层和内侧层的两层结构，

其中，在所述外侧层中，所述基体包含B₂O₃但不包含Al₂O₃，和

其中，在所述内侧层中，所述基体包含B₂O₃和Al₂O₃。

6.根据权利要求4所述的稀土类磁体，其中所述保护层具有包括外侧层和内侧层的两层结构，

其中，在所述外侧层中，所述基体包含B₂O₃但不包含Al₂O₃，和

其中，在所述内侧层中，所述基体包含B₂O₃和Al₂O₃。

7.根据权利要求1所述的稀土类磁体，其进一步包括设置在所述稀土类磁体本体与所述保护层之间的底层，

其中所述底层含有包含于所述稀土类磁体本体内的稀土类元素的氧化物，或者所述稀土类元素和其它元素的合金的氧化物。

8.根据权利要求2所述的稀土类磁体，其进一步包括设置在所述稀土类磁体本体与所述保护层之间的底层，

其中所述底层含有包含于所述稀土类磁体本体内的稀土类元素的氧化物，或者所述稀土类元素和其它元素的合金的氧化物。

9.根据权利要求3所述的稀土类磁体，其进一步包括设置在所述稀土类磁体本体与所述保护层之间的底层，

其中所述底层含有包含于所述稀土类磁体本体内的稀土类元素的氧化物，或者所述稀土类元素和其它元素的合金的氧化物。

10.根据权利要求4所述的稀土类磁体，其进一步包括设置在所述稀土类磁体本体与所述保护层之间的底层，

其中所述底层含有包含于所述稀土类磁体本体内的稀土类元素的氧化物，或者所述稀土类元素和其它元素的合金的氧化物。

11.根据权利要求5所述的稀土类磁体，其进一步包括设置在所述稀土类磁体本体与所述保护层之间的底层，

其中所述底层含有包含于所述稀土类磁体本体内的稀土类元素的氧化物，或者所述稀土类元素和其它元素的合金的氧化物。

12.根据权利要求6所述的稀土类磁体，其进一步包括设置在所述稀土类磁体本体与所述保护层之间的底层，

其中所述底层含有包含于所述稀土类磁体本体内的稀土类元素的氧化物，或者所述稀土类元素和其它元素的合金的氧化物。

13.根据权利要求1-12任一项所述的稀土类磁体，其中所述保护层具有0.5μm-50μm的厚度。