[发明专利]基于m面GaN上的极性AlGaN纳米线材料及其制作方法有效
| 申请号： | 201410166259.3 | 申请日： | 2014-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103928503A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 许晟瑞;姜腾;郝跃;张进成;张春福;林志宇;杨林安;张金风 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/267 | 分类号： | H01L29/267;H01L21/205 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于m面GaN上的极性AlGaN纳米线材料及其制作方法，主要解决常规极性AlGaN纳米线制备成本高，生长效率低的问题。其生长步骤是：(1)在m面GaN衬底上蒸发一层5-20nm金属Ti；(2)将有金属Ti的m面GaN衬底置于MOCVD反应室中，并向反应室内通入氢气与氨气，使m面GaN衬底上的一部分金属Ti氮化形成TiN，并残余一部分未被氮化的金属Ti；(3)向MOCVD反应室中同时通入铝源、镓源和氨气，利用未被氮化的金属Ti作为催化剂在TiN层上生长平行于衬底、方向一致的极性AlGaN纳米线。本发明具有制备成本低，生长速率快的优点，可用于制作高性能极性AlGaN纳米器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan 极性 algan 纳米 线材 料及 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于m面GaN上的极性AlGaN纳米线材料，自下而上包括m面GaN衬底层(1)和极性AlGaN纳米线层(3)，该极性AlGaN纳米线层(3)中含有若干条平行于衬底、方向一致且长度在20‑100μm范围内随机产生的极性AlGaN纳米线，其特征在于在m面GaN衬底层(1)的上面设有5‑20nm厚的TiN层，极性AlGaN纳米线层(3)位于该TiN层的上面。
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