[发明专利]一种监控晶片键合前金属中间层预清洗工艺的方法

摘要

本发明提供一种监控晶片键合前金属中间层预清洗工艺的方法，提供一晶片，在所述晶片表面生长一层金属膜；测试所述金属膜的第一反射率；使所述金属膜的表面氧化；使用金属氧化物腐蚀溶液清洗烘烤后的所述表面生长有金属膜的晶片；测试所述清洗后的晶片表面金属膜的第二反射率；通过对比金属膜的第一反射率和金属膜的第二反射率，可以轻易的辨别金属膜表面的金属氧化物是否被完全去除。所述方法简单易行，所涉及的工艺和设备比较简单，使得监控的周期大大缩短，具有较好的实时性；同时，由于测试金属膜的反射率的过程中不会对晶片表面所生成的金属膜造成损伤，且测试仪器的精度较高，大大提高了监控的准确性。

主权项

一种监控晶片键合前金属中间层预清洗工艺的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一晶片，在所述晶片上生长一层金属膜；2)测试所述金属膜的第一反射率；3)使所述金属膜的表面氧化，以生成一层金属氧化物；4)使用金属氧化物腐蚀溶液清洗烘烤后的所述表面生长有金属膜的晶片；5)测试所述清洗后的晶片表面金属膜的第二反射率，通过对比所述第二反射率和所述第一反射率来判断金属氧化物是否被完全去除；6)若判断所述金属氧化物被完全去除，将所使用的金属氧化物腐蚀溶液应用到实际晶片键合前金属中间层预清洗工艺中。