[发明专利]薄膜晶体管及有机发光二极管显示器制备方法

摘要

本发明提供了一种薄膜晶体管制备方法，包括沉积第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，其中，采用如下步骤沉积第二薄膜晶体管在衬底上形成第二薄膜晶体管的第二栅极；在衬底上方依次沉积绝缘层和半导体层，其中绝缘层和半导体层覆盖第二栅极；在半导体层上方沉积光阻层，并对该光阻层进行曝光；对半导体层和绝缘层进行刻蚀，从而形成第二薄膜晶体管的第二有源层和设于第二栅极上方的第一连接窗口；在绝缘层和第二有源层的上方沉积第二薄膜晶体管的第二源极和第二漏极。同时，本发明还提供了一种有机发光二极管显示器制备方法。该方法减少了光罩的使用次数，从而节省了制程时间、提高了产能、节约了制备成本。

主权项

一种薄膜晶体管制备方法，包括沉积第一薄膜晶体管(10)和第二薄膜晶体管(20)，其特征在于，采用如下步骤沉积第二薄膜晶体管(20)：a)在衬底(210)上形成第二薄膜晶体管(20)的第二栅极(221)；b)在衬底上方依次沉积绝缘层(230)和半导体层(240)，其中绝缘层(230)和半导体层(240)覆盖第二栅极(221)；c)在半导体层(240)上方沉积光阻层，并对该光阻层进行曝光；对半导体层(240)和绝缘层(230)进行刻蚀，从而形成第二薄膜晶体管(20)的第二有源层(241)和设于第二栅极(221)上方的第一连接窗口(231)；d)在绝缘层(230)和第二有源层(241)的上方沉积第二薄膜晶体管(20)的第二源极(251)和第二漏极(252)；其中，对光阻曝光具体包括：对欲形成第一连接窗口(231)处的光阻进行全曝光；对欲形成第二有源层(241)处的光阻不进行曝光；对处于第二薄膜晶体管(20)上方的其余的光阻进行半曝光；其中，对半导体层(240)和绝缘层(230)进行刻蚀具体为：采用湿法刻蚀的方法去除全曝光窗口下的半导体层(240)，采用干法刻蚀的方法去除全曝光窗口下的绝缘层(230)，形成第一连接窗口(231)；去除半曝光后的光阻；采用湿法刻蚀的方法对半曝光窗口下的半导体层(240)进行刻蚀，形成第二有源层(241)；去除第二有源层(241)上方的光阻层。