[发明专利]相移掩模板和源漏掩模板在审
申请号: | 201410163165.0 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN103969940A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 黎午升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明属于半导体技术领域,具体涉及一种相移掩模板和源漏掩模板。一种相移掩模板,包括由不透光的图案覆盖的不透光区和未被所述图案覆盖的透光区,所述图案在与所述透光区相对的区域包括至少两个拐点,在所述透光区对应着相邻的至少两个所述拐点之间的所述图案的外侧相应设置有光学遮挡单元,所述光学遮挡单元使得设置有所述光学遮挡单元的所述透光区的光强降低。该相移掩模板和相应的源漏掩模板,使得相移掩模板和源漏掩模板在不透光图案存在拐点时,光强分布更均匀,减小半导体器件不良的产生几率。 | ||
搜索关键词: | 相移 模板 源漏掩 | ||
【主权项】:
一种相移掩模板,包括由不透光的图案覆盖的不透光区和未被所述图案覆盖的透光区,所述图案在与所述透光区相对的区域包括至少两个拐点,其特征在于,在所述透光区对应着相邻的至少两个所述拐点之间的所述图案的外侧相应设置有光学遮挡单元,所述光学遮挡单元使得设置有所述光学遮挡单元的所述透光区的光强降低。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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