[发明专利]相移掩模板和源漏掩模板

权利要求书

1.一种相移掩模板，包括由不透光的图案覆盖的不透光区和未被所述图案覆盖的透光区，所述图案在与所述透光区相对的区域包括至少两个拐点，其特征在于，在所述透光区对应着相邻的至少两个所述拐点之间的所述图案的外侧相应设置有光学遮挡单元，所述光学遮挡单元使得设置有所述光学遮挡单元的所述透光区的光强降低。

2.根据权利要求1所述的相移掩模板，其特征在于，所述光学遮挡单元为条状分布的遮光条，所述遮光条设置于所述图案的相邻的两个所述拐点对应的外侧，且所述遮光条与两个所述拐点对应的所述图案相离形成间隙条。

3.根据权利要求2所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光条还以所述拐点为始点，沿所述图案的外侧、向远离由两个所述拐点对应的所述图案的延伸方向的一端或两端延伸至相邻的下一所述拐点。

4.根据权利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光条采用无机膜形成，所述无机膜包括铬膜。

5.根据权利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光条的透光率小于等于5%。

6.根据权利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述图案为条状分布，所述遮光条的宽度为条状分布的所述图案的宽度的1/8-1/4。

7.根据权利要求6所述的相移掩模板，其特征在于，所述遮光条的宽度范围为0.3-0.7μm，所述间隙条的宽度范围为0.3-0.5μm。

8.根据权利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述相移掩模板还包括衬底，所述图案采用相移膜形成在所述衬底的上方，所述遮光条采用无机膜与所述图案同层形成在所述衬底的上方。

9.根据权利要求2或3所述的相移掩模板，其特征在于，所述相移掩模板还包括衬底，所述图案采用无机膜形成在所述衬底的上方，所述无机膜的上方设置有采用相移膜形成的相移层，所述无机膜包括铬膜。

10.一种源漏掩模板，用于对半导体器件的构成层进行曝光，其特征在于，所述构成层在曝光工艺中采用权利要求1-9任意一项所述的所述相移掩模板。

11.根据权利要求10所述的源漏掩模板，其特征在于，所述半导体器件为薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极的图形，所述漏极为棒状，所述源极设置于所述漏极的外侧且至少包围所述漏极的相对两侧以及连接该相对两侧的相对垂直侧；相应的，所述源漏掩模板对应着形成所述漏极的漏极图案为棒状图案、对应着形成所述源极的源极图案为U型图案，所述遮光条至少设置于对应着U型图案的竖直边与圆弧边形成的拐点的外侧。

12.根据权利要求11所述的源漏掩模板，其特征在于，在曝光工艺中，用于对形成所述源极和所述漏极的电极材料膜层进行遮挡用的光刻胶采用正性光刻胶。