[发明专利]相移掩模板和源漏掩模板

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种相移掩模板和源

漏掩模板。

背景技术

掩模板（mask）又称光掩模或光罩，是连接设计端与工艺制造端的纽带和桥梁。随着设计技术与制造工艺的进步，目前出现了相移掩模板，相移掩模板即在衬底上方形成图案的同时，还形成相移层区和非相移层区，在利用相移掩模板进行曝光工艺时，通过相移层区的光线会产生180°的相位改变，从而达到更好的控制图案关键尺寸（CD）的目的。

如图1A和图1B所示为现有技术中常用的相移掩模板的结构为：在具有较稳定的热光电性能的衬底1上通过一定的工艺形成图案（包括有图案的不透光区和透光区），通常采用石英等透明介质作为衬底1；在衬底1上方通过图案材料的沉积、光刻，显影，刻蚀，剥离等工序形成透过率低（8%左右）的具有图案的图像相移层2，通常图像相移层2使用光透过率低且能使光线的相位反转180°±10°的材料。使用该相移掩模板可以将图案投影在基板上，从而在基板上方完成半导体器件的各构成层的图形的转印，进而制备完成半导体器件。通过相移掩模板的相移层区的光线的相位发生了反转（180°），而通过非相移层区的光线的相位保持不改变。相移掩模板中，由于相消干涉（即光的干涉被破坏），因此能提高采用相移掩模板图案形成的图形的分辨率。

未来平板显示的技术发展趋势之一就是高分辨率的实现，为了这个目标，相移掩模板作为一种重要的提高高分辨率的技术，也应用于薄膜晶体管（Thin Film Transistor：简称TFT）的制备中。但是，经模拟和实测都发现，在对具有对称图案的一侧接入额外图案，在曝光过程中会出现光强分布不对称，从而导致本该形成对称分布的图形呈不对称分布的问题。例如图1C所示的相移掩模板上，内含棒状漏极（Drain）的U型的源极（Source）图案在接入数据线（data line）时光强分布受到影响，呈不对称分布（如图1C中虚线圈所示）；而曝光结果也证实了U型图案的边缘有不良发生（通常发生在靠近透光区的图案的拐点之间的区域）。这将导致薄膜晶体管出现不良，例如：使得TFT中沟道的宽长比（即沟道宽度/沟道长度，W/L）发生变化，进而导致TFT的导通电流Ion变小，影响显示质量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种相移掩模板和源漏掩模板，使得相移掩模板和源漏掩模板在不透光图案存在拐点时，光强分布更均匀，减小半导体器件不良的产生几率。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是该相移掩模板，包括由不透光的图案覆盖的不透光区和未被所述图案覆盖的透光区，所述图案在与所述透光区相对的区域包括至少两个拐点，在所述透光区对应着相邻的至少两个所述拐点之间的所述图案的外侧相应设置有光学遮挡单元，所述光学遮挡单元使得设置有所述光学遮挡单元的所述透光区的光强降低。

优选的是，所述光学遮挡单元为条状分布的遮光条，所述遮光条设置于所述图案的相邻的两个所述拐点对应的外侧，且所述遮光条与两个所述拐点对应的所述图案相离形成间隙条。

优选的是，所述遮光条还以所述拐点为始点，沿所述图案的外侧、向远离由两个所述拐点对应的所述图案的延伸方向的一端或两端延伸至相邻的下一所述拐点。

优选的是，所述遮光条采用无机膜形成，所述无机膜包括铬膜。

优选的是，所述遮光条的透光率小于等于5%。

优选的是，所述图案为条状分布，所述遮光条的宽度为条状分布的所述图案的宽度的1/8-1/4。

优选的是，所述遮光条的宽度范围为0.3-0.7μm，所述间隙条的宽度范围为0.3-0.5μm。

优选的是，所述遮光条与所述图案同层设置。

优选的是，还包括衬底，所述图案采用相移膜形成在所述衬底的上方；或者，所述图案采用无机膜形成在所述衬底的上方，所述无机膜的上方设置有采用相移膜形成的相移层，所述无机膜包括铬膜。

一种源漏掩模板，用于对半导体器件的构成层进行曝光，所述构成层在曝光工艺中采用权利要求1-9任意一项所述的所述相移掩模板。

优选的是，所述半导体器件为薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极的图形，所述漏极为棒状，所述源极设置于所述漏极的外侧且至少包围所述漏极的相对两侧以及连接该相对两侧的相对垂直侧；相应的，所述源漏掩模板对应着形成所述漏极的漏极图案为棒状图案、对应着形成所述源极的源极图案为U型图案，所述遮光条至少设置于对应着U型图案的竖直边与圆弧边形成的拐点的外侧。