[发明专利]等离子体处理室的冷喷涂阻挡层涂布的部件及其制造方法无效
| 申请号： | 201410163113.3 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112635A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 许临;石洪;安东尼·阿玛多;拉金德尔·迪恩赛;约翰·迈克尔·克恩斯;约翰·多尔蒂 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J9/02;H01J37/32;H01J37/305;H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及等离子体处理室的冷喷涂阻挡层涂布的部件及其制造方法，具体而言，半导体等离子体处理室的冷喷涂阻挡层涂布的部件包括具有至少一个金属表面的衬底，其中所述金属表面的部分被配置以形成电触头。冷喷涂阻挡涂层由导热并导电材料制成，至少存在于所述衬底的被配置形成电触头的所述金属表面上。此外，冷喷涂阻挡涂层也可位于所述部件的暴露于等离子体和/或暴露于处理气体的表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 喷涂 阻挡 层涂布 部件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体等离子体处理室的冷喷涂阻挡层涂布的部件，所述部件包括：具有至少一个金属表面的衬底，其中所述金属表面的部分被配置以形成电触头；和由导热并导电材料制成的至少在被配置以形成所述电触头的所述金属表面上的冷喷涂阻挡涂层。
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