[发明专利]一种集成电路的设计方法和集成电路有效
申请号: | 201410163001.8 | 申请日: | 2014-04-22 |
公开(公告)号: | CN105097793B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 沈忆华;余云初;钟浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F17/50 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人: | 高伟,赵礼杰 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种集成电路的设计方法和集成电路,涉及集成电路技术领域。该设计方法包括步骤A改变集成电路中相邻并相距一定距离的第一晶体管与第二晶体管的位置,使所述第一晶体管与所述第二晶体管的两个相邻的边缘栅极的位置重叠,并在边缘栅极重叠的位置形成包括中间栅极的第三晶体管;步骤B通过将所述中间栅极连接到预定电压关闭所述第三晶体管,以隔离所述第一晶体管与所述第二晶体管。该设计方法可以提高集成电路的器件密度,降低成本。本发明的集成电路,根据该设计方法设计的版图制得,因而具有器件密度高、成本低的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成电路 设计 方法 | ||
【主权项】:
一种集成电路的设计方法,其特征在于,所述方法包括:步骤A:改变集成电路中相邻并相距一定距离的第一晶体管与第二晶体管的位置,使所述第一晶体管与所述第二晶体管的两个相邻的边缘栅极的位置重叠,并在边缘栅极重叠的位置形成包括中间栅极的第三晶体管;步骤B:通过将所述中间栅极连接到预定电压关闭所述第三晶体管以隔离所述第一晶体管与所述第二晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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