[发明专利]肖特基二极管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种肖特基二极管及其制造方法，肖特基二极管依次包括衬底、氮化镓缓冲层、重掺杂n型氮化镓层、轻掺杂n型氮化镓层、重掺杂p型氮化镓层和电极结构，其中重掺杂p型氮化镓层位于轻掺杂n型氮化镓层上的部分区域，形成特定的图形；衬底和氮化镓缓冲层的部分区域进行了开孔，露出部分重掺杂n型氮化镓层；电极结构包括位于轻掺杂n型氮化镓层上的肖特基电极、位于重掺杂p型氮化镓层上的第一欧姆电极和位于开孔中并与重掺杂n型氮化镓层相接触的第二欧姆电极。本发明可以使肖特基二极管在保持低开启电压的同时通过更大的电流，并降低反向漏电；而且在工艺中不需要超高温退火，从而避免了对氮化镓材料的损伤。

主权项

一种肖特基二极管，所述肖特基二极管为一种外延多层结构，其特征在于，所述肖特基二极管依次包括：衬底、氮化镓缓冲层、重掺杂n型氮化镓层、轻掺杂n型氮化镓层、重掺杂p型氮化镓层和电极结构，其中：所述重掺杂p型氮化镓层位于所述轻掺杂n型氮化镓层上，所述重掺杂p型氮化镓层位于所述轻掺杂n型氮化镓层上的部分区域，形成特定的图形；所述衬底和所述氮化镓缓冲层的部分区域进行了开孔，露出部分所述重掺杂n型氮化镓层；所述电极结构包括位于所述轻掺杂n型氮化镓层上的肖特基电极、位于所述重掺杂p型氮化镓层上的第一欧姆电极和位于所述开孔中并与所述重掺杂n型氮化镓层相接触的第二欧姆电极；所述肖特基电极与所述重掺杂p型氮化镓层接触；其中：所述重掺杂p型氮化镓层的特定图形是由选择性外延或外延后的选择性刻蚀实现的。