[发明专利]一种OLED器件阳极结构在审

专利信息
申请号: 201410155768.6 申请日: 2014-04-18
公开(公告)号: CN103928635A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 祝文秀 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 上海唯源专利代理有限公司 31229 代理人: 曾耀先
地址: 201508 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种OLED器件的阳极结构,尤指一种新型的具有高反射率的OLED器件阳极结构,所述阳极结构包括第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层以及夹设于所述第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层之间的金属反射层;所述金属反射层与所述第二氧化铟锡层之间设置有一光栅结构层。采用在金属反射层上加设光栅结构,因光栅结构具有高衍射效率,结合金属反射层的反射效率,可以使得本发明的阳极结构的反射率达到99%,大大的提高了OLED器件的发光效率。
搜索关键词: 一种 oled 器件 阳极 结构
【主权项】:
一种OLED器件阳极结构,所述阳极结构包括第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层以及夹设于所述第一氧化铟锡层、第二氧化铟锡层之间的金属反射层;其特征在于:所述金属反射层与所述第二氧化铟锡层之间设置有一光栅结构层。
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