[发明专利]功率半导体装置在审

专利信息
申请号: 201410155405.2 申请日: 2014-04-17
公开(公告)号: CN104114002A 公开(公告)日: 2014-10-22
发明(设计)人: 彼得·贝克达尔;拉尔夫·埃勒 申请(专利权)人: 赛米控电子股份有限公司
主分类号: H05K7/00 分类号: H05K7/00;H05K7/20;H02M7/00;H01L25/07
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 车文;张建涛
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及功率半导体装置,其带有形成结构单元的功率半导体模块和电容器模块,功率半导体模块具有第一和第二外联接区段,电容器模块有电容器,电容器模块与功率半导体模块能拆卸地机械连接,电容器模块有第三和第四直流电压负载联接元件,第三直流电压负载联接元件与电容器的第一电接头导电连接,第四直流电压负载联接元件与电容器的第二电接头导电连接,第三直流电压负载联接元件有第三外联接区段并且第四直流电压负载联接元件有第四外联接区段,第一外联接区段与第三外联接区段有导电接触并且第二外联接区段与第四外联接区段有导电接触。功率半导体模块可以简单且快速地与不同的电容器可靠地导电连接。本发明还涉及功率半导体装置系统。
搜索关键词: 功率 半导体 装置
【主权项】:
一种功率半导体装置,所述功率半导体装置带有形成结构单元的功率半导体模块(1、1′)和形成结构单元的电容器模块(10、10′),其中,功率半导体模块(1、1′)具有基底(19)和布置在所述基底(19)上且与所述基底(19)连接的功率半导体部件(22),其中,功率半导体模块(1、1′)具有能被流体穿流的冷却体(2),所述冷却体冷却功率半导体部件(22),其中,功率半导体模块(1、1′)具有第一壳体(4),分别与至少一个功率半导体部件(22)导电连接的导电的第一和第二直流电压负载联接元件(6、7)穿过所述第一壳体,其中,第一直流电压负载联接元件(6)具有在第一壳体(4)外部布置在第一壳体(4)的第一侧(A)上的第一外联接区段(6a),并且第二直流电压负载联接元件(7)具有在第一壳体(4)外部布置在第一壳体(4)的第一侧(A)上的第二外联接区段(7a),其中,电容器模块(10)具有第二壳体(11)和布置在所述第二壳体(11)内的电容器(17),其中,电容器模块(10)与功率半导体模块(1、1′)能拆卸地机械连接,其中,电容器模块(10、10′)具有第三直流电压负载联接元件(12)和第四直流电压负载联接元件(13),所述第三直流电压负载联接元件与电容器(17)的第一电接头(39)导电连接,所述第四直流电压负载联接元件与电容器(17)的第二电接头(40)导电连接,其中,第三直流电压负载联接元件(12)具有第三外联接区段(12a)并且第四直流电压负载联接元件(13)具有第四外联接区段(13a),其中,第三和第四外联接区段(12a、13a)布置在第二壳体(11)的第一侧(B)上,其中,第二壳体(11)的第一侧(B)面朝第一壳体(4)的第一侧(A)布置,其中,第一外联接区段(6a)与第三外联接区段(12a)具有导电接触并且第二外联接区段(7a)与第四外联接区段(13a)具有导电接触。
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