[发明专利]存储器元件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410147691.8 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104979469A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 许博砚;廖修汉;张硕哲;何家骅 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器元件及其形成方法，该存储器元件包括一第一电极；一第二电极；以及一电阻层，位于该第一电极与该第二电极之间，其中该电阻层具有一结晶部分，该结晶部分的体积占该电阻层的体积的约0.2至约1之间。存储器元件的形成方法包括：于一第一电极上形成一电阻层，其中该电阻层具有一结晶部分，该结晶部分的体积占该电阻层的体积的约0.2至约1之间；以及于该电阻层上形成一第二电极。通过本发明提供存储器元件及形成方法，可以有效提升电阻式非易失性存储器的良率和效能。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，其特征在于，包括：一第一电极；一第二电极；以及一电阻层，位于该第一电极与该第二电极之间，其中该电阻层具有一结晶部分，该结晶部分的体积占该电阻层的体积的0.2至1之间。
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