[发明专利]存储器元件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410147691.8 | 申请日： | 2014-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN104979469A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 许博砚;廖修汉;张硕哲;何家骅 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 贾磊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 形成 方法 | ||
1.一种存储器元件，其特征在于，包括：
一第一电极；
一第二电极；以及
一电阻层，位于该第一电极与该第二电极之间，其中该电阻层具有一结晶部分，该结晶部分的体积占该电阻层的体积的0.2至1之间。
2.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该结晶部分包括多个晶粒。
3.如权利要求2所述的存储器元件，其特征在于，所述晶粒的一平均粒径为2纳米至50纳米之间。
4.权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该电阻层包括氧化铪。
5.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该结晶部分包括多个晶粒，且所述晶粒的晶相为单斜晶相。
6.如权利要求1所述的存储器元件，其特征在于，该结晶部分包括多个晶粒，且所述晶粒由该电阻层的一非晶部分所围绕。
7.一种存储器元件的形成方法，其特征在于，包括：
于一第一电极上形成一电阻层，其中该电阻层具有一结晶部分，该结晶部分的体积占该电阻层的体积的0.2至1之间；以及
于该电阻层上形成一第二电极。
8.如权利要求7所述的存储器元件的形成方法，其特征在于，形成该电阻层的步骤包括：
于该第一电极上沉积一介电材料；以及
使该介电材料至少部分结晶化以形成该电阻层。
9.如权利要求8所述的存储器元件的形成方法，其特征在于，使该介电材料至少部分结晶化的步骤包括使该介电材料的沉积温度介于325℃至450℃之间。
10.如权利要求8所述的存储器元件的形成方法，其特征在于，该结晶部分包括多个晶粒，且所述晶粒的平均粒径为2纳米至50纳米之间。
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