[发明专利]一种液相法定向制备高导电高导热的石墨烯膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410146002.1 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104973592B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;周密;毕辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C23C16/26;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种液相法定向制备高导电高导热的石墨烯膜的制备方法，所述方法包括1）将氧化石墨烯真空控温定向沉积，所得的沉积好的氧化石墨烯真空抽滤制得定向沉积氧化石墨烯膜；2）通过化学气相沉积还原所述定向沉积的氧化石墨烯膜，并修复石墨烯缺陷得到定向沉积石墨烯膜；以及3）高压定型所述定向沉积石墨烯膜制得所述高导电、高导热石墨烯膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 法定 制备 导电 导热 石墨 方法 | ||
【主权项】：
一种制备高导电、高导热石墨烯膜的方法，其特征在于，所述方法包括：1）将氧化石墨烯真空控温定向沉积，所得的沉积好的氧化石墨烯真空抽滤制得定向沉积氧化石墨烯膜；2）通过化学气相沉积还原所述定向沉积的氧化石墨烯膜，并修复石墨烯缺陷得到定向沉积石墨烯膜；以及3）高压定型所述定向沉积石墨烯膜制得所述高导电、高导热石墨烯膜；石墨为原料通过改进的hummer法制备氧化石墨烯；步骤2）中，将定向沉积氧化石墨烯膜在600‑1500℃温度下经由CH4、H2、Ar组成的混合气体进行化学气相沉积，还原氧化石墨烯、沉积新的石墨烯，并修复氧化石墨烯缺陷。
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