[发明专利]一种液相法定向制备高导电高导热的石墨烯膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410146002.1 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104973592B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 黄富强;周密;毕辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C23C16/26;C23C16/44 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 法定 制备 导电 导热 石墨 方法 | ||
1.一种制备高导电、高导热石墨烯膜的方法，其特征在于，所述方法包括：
1）将氧化石墨烯真空控温定向沉积，所得的沉积好的氧化石墨烯真空抽滤制得定向沉积氧化石墨烯膜；
2）通过化学气相沉积还原所述定向沉积的氧化石墨烯膜，并修复石墨烯缺陷得到定向沉积石墨烯膜；以及
3）高压定型所述定向沉积石墨烯膜制得所述高导电、高导热石墨烯膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，石墨为原料通过改进的hummer法制备氧化石墨烯。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化石墨烯通过液相法制备，并经过超声剥离。
4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于，步骤1）中，将氧化石墨烯在30-90℃的真空干燥箱中控制定向沉积1-48小时。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤1）中，将氧化石墨烯在80℃的真空干燥箱中控制定向沉积4小时。
6.根据权利要求1-5中任一所述的方法，其特征在于，步骤1）中，将沉积好的氧化石墨烯真空抽滤1-24小时。
7.根据权利要求1-6中任一所述的方法，其特征在于，步骤1）中，将沉积好的氧化石墨烯真空抽滤5小时。
8.根据权利要求1-7中任一所述的方法，其特征在于，步骤2）中，将定向沉积氧化石墨烯膜在600-1500℃温度下经由CH4、H2、Ar组成的混合气体进行化学气相沉积，还原氧化石墨烯、沉积新的石墨烯，并修复氧化石墨烯缺陷。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，CH4、H2、Ar的体积比为5:50:300。
10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，步骤2）中，将定向沉积氧化石墨烯膜在1500℃进行化学气相沉积。
11.根据权利要求1～10中任一所述的方法，其特征在于，步骤3）中，所述高压定型的压力为10-100MPa。
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