[发明专利]围栅型纳米线晶体管有效
| 申请号： | 201410145600.7 | 申请日： | 2014-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN103985757B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 顾经纶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种围栅型纳米线晶体管。包括一圆柱状的主体结构，所述主体结构包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；两个端部作为源极和漏极；其中，所述主体结构的材料包括硅锗，所述中间部分锗的浓度大于所述两个端部的锗的浓度。本发明的结构中，源漏与沟道的异质结的结构带来了中间沟道部分价带的上移，从而能使空穴的发射速度和迁移率得到提升。 | ||
| 搜索关键词： | 围栅型 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
一种围栅型纳米线晶体管，包括：一圆柱状的主体结构，所述主体结构包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；两个端部作为源极和漏极，中间部分作为沟道；其中，所述主体结构的材料包括硅锗，所述中间部分锗的浓度大于所述两个端部的锗的浓度，这样的源极和漏极与沟道的异质结的结构带来了沟道价带的上移，价带的上移使得能带差变大，使空穴的发射速度和迁移率得到提升。
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