[发明专利]围栅型纳米线晶体管

权利要求书

1.一种围栅型纳米线晶体管，包括：一圆柱状的主体结构，所述主体结构包括中间部分及位于中间部分两侧的两个端部，围绕中间部分包裹有栅极，形成围栅；两个端部作为源极和漏极，中间部分作为沟道；其中，所述主体结构的材料包括硅锗，所述中间部分锗的浓度大于所述两个端部的锗的浓度，这样的源极和漏极与沟道的异质结的结构带来了沟道价带的上移，价带的上移使得能带差变大，使空穴的发射速度和迁移率得到提升。

2.如权利要求1所述的围栅型纳米线晶体管，其特征在于，所述中间部分的硅锗中锗的浓度为70mol％，所述两个端部的硅锗中锗的浓度为30mol％。

3.如权利要求2所述的围栅型纳米线晶体管，其特征在于，所述中间部分为N型掺杂或不掺杂，所述两个端部为P型掺杂。

4.如权利要求3所述的围栅型纳米线晶体管，其特征在于，所述P型掺杂为采用BF₂进行掺杂，掺杂浓度为8e19/cm³～2e21/cm³。

5.如权利要求1所述的围栅型纳米线晶体管，其特征在于，所述主体结构的半径为10nm～50nm，中间部分的长度为100nm～1000nm。

6.如权利要求5所述的围栅型纳米线晶体管，其特征在于，所述栅极的厚度为50nm～150nm。

7.如权利要求5所述的围栅型纳米线晶体管，其特征在于，所述中间部分与栅极之间形成有隧穿氧化层，所述隧穿氧化层的材料为SiO₂，厚度为5nm-20nm。