[发明专利]一种紫外LED外延结构生长方法

摘要

本发明是一种新的生长紫外LED的外延结构的方法，采用新的结构层和表面接触层掺杂，既可以实现避免生长紫外光时表面材料本身对光的吸收，还可以降低接触电压。本发明采用掺杂硅烷的n++型Al_zIn_wGa_1-z-wN（0<w<0.05,0<z<0.9）表面接触层代替传统的掺杂镁的p型GaN表面接触层，既减小了表面接触层GaN材料本身对紫外光的吸收，提升了外延片出光效率，同时低In组分的n++型Al_zIn_wGa_1-z-wN不但可以与芯片制作工艺的ITO（氧化铟锡）电流扩展层良好的接触，并且还能容易地实现n型硅烷的重掺杂，能够与IT0层形成更好的欧姆接触，降低接触电压。

主权项

一种紫外LED外延结构生长方法，包括以下步骤：（1）在蓝宝石衬底上生长低温AlN；（2）生长高温AlN；（3）生长若干个周期AlN/AlGaN超晶格结构层；（4）生长掺杂硅烷的n型AlGaN层；（5）生长若干个周期Al_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN量子阱垒区，其中Al_xGa_1‑xN作为阱层，Al_yGa_1‑yN作为垒层，0<x＜y＜1；（6）生长掺杂镁p型AlGaN阻挡层；（7）生长掺杂镁p型AlGaN层作为p层；（8）生长重掺杂硅烷n++型Al_zIn_wGa_1‑z‑wN薄层,0<w<0.05,0<z<0.9；（9）氮气氛围下退火。