[发明专利]一种紫外LED外延结构生长方法在审
| 申请号： | 201410145553.6 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN103915532A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王晓波 | 申请（专利权）人： | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30;H01L33/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 led 外延 结构 生长 方法 | ||
1.一种紫外LED外延结构生长方法，包括以下步骤：
（1）在蓝宝石衬底上生长低温AlN；
（2）生长高温AlN；
（3）生长若干个周期AlN/AlGaN超晶格结构层；
（4）生长掺杂硅烷的n型AlGaN层；
（5）生长若干个周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱垒区，其中AlxGa1-xN作为阱层，AlyGa1-yN作为垒层，0<x＜y＜1；
（6）生长掺杂镁p型AlGaN阻挡层；
（7）生长掺杂镁p型AlGaN层作为p层；
（8）生长重掺杂硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄层,0<w<0.05,0<z<0.9；
（9）氮气氛围下退火。
2.根据权利要求1所述的紫外LED外延结构生长方法，其特征在于：步骤（8）生长3-10nm的重掺杂硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄层。
3.根据权利要求2所述的紫外LED外延结构生长方法，其特征在于：步骤（8）的生长环境为在890℃，200torr。
4.根据权利要求3所述的紫外LED外延结构生长方法，其特征在于：步骤（5）的每一个周期中，量子阱层AlxGa1-xN和垒层AlyGa1-yN层的厚度分别为3nm和8nm。
5.一种紫外LED外延片，其特征在于，包括依次生长的以下各层：
蓝宝石衬底；
低温AlN；
高温AlN；
若干个周期AlN/AlGaN超晶格结构层；
掺杂硅烷的n型AlGaN层；
若干个周期AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱垒区，其中AlxGa1-xN作为阱层，AlyGa1-yN作为垒层，0<x＜y＜1；
掺杂镁p型AlGaN阻挡层；
掺杂镁p型AlGaN层作为p层；
重掺杂硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄层，0<w<0.05,0<z<0.9。
6.根据权利要求5所述的紫外LED外延片，其特征在于：重掺杂硅烷n++型AlzInwGa1-z-wN薄层的厚度为3-10nm。
7.根据权利要求6所述的紫外LED外延片，其特征在于：AlxGa1-xN/AlyGa1-yN量子阱垒区的每一个周期中，量子阱层AlxGa1-xN和垒层AlyGa1-yN层的厚度分别为3nm和8nm。
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