[发明专利]半导体器件和用于生产该半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410144330.8 | 申请日： | 2014-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN104103690B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 张涛,徐红燕 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件和用于生产该半导体器件的方法。提供了一种沟槽栅极MOS晶体管。该沟槽栅极MOS晶体管包括半导体衬底，具有包括栅极电极的沟槽；源极区；与沟道区邻接的本体接触区，其中所述沟道区中的掺杂物浓度在横向方向上变化，并且在从所述栅极电极到与所述栅极电极分开的所述本体接触区的方向上具有至少一个最小值。进一步提供了一种用于产生晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅极MOS晶体管，包括：半导体衬底，具有包括栅极电极的沟槽，源极区，以及与沟道区邻接的本体接触区，其中所述沟道区中的掺杂物浓度在横向方向上变化，并且在从所述栅极电极到与所述栅极电极分开的所述本体接触区的方向上具有至少一个最小值，其中掺杂物浓度在从所述栅极电极到所述本体接触区的横向方向上降低。
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