[发明专利]鳍式场效应晶体管装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410140084.9 | 申请日： | 2007-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN104037086B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张正宏;余振华;叶震南;傅竹韵;许育荣;陈鼎元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 张浴月,李玉锁 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造鳍式场效应晶体管装置的方法，包括提供基底，包括第一鳍和第二鳍；采用化学气相沉积工艺形成第一硅玻璃层于第一鳍上，第一硅玻璃层包括第一种类的杂质；在第一硅玻璃层和第二鳍上形成氧化层；提供第二种类的杂质；执行气相扩散工艺将第二种类的杂质扩散进入氧化层以形成掺杂层；之后，执行基底的高温处理工艺，通过固相扩散工艺提供将第一种类的杂质趋入到第一鳍中和将第二种类的杂质趋入到第二鳍中，使得第一鳍包括N型鳍式场效应晶体管装置的沟道，第二鳍包括P型鳍式场效应晶体管装置的沟道。本发明能够提供均一的掺杂分布而不产生阴影遮蔽效应，能够满足鳍式场效应晶体管装置的性能需求。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造鳍式场效应晶体管装置的方法，包括：提供基底，其包括第一鳍和第二鳍；采用化学气相沉积工艺形成第一硅玻璃层于该第一鳍上，其中该第一硅玻璃层包括第一种类的杂质，并且其中化学气相沉积工艺将该第一硅玻璃层沉积于该第一鳍上；在该第一硅玻璃层和该第二鳍上形成氧化层，其中所述氧化层的厚度在10埃与30埃之间；提供第二种类的杂质；执行气相扩散工艺将该第二种类的杂质扩散进入该氧化层以形成掺杂层；以及在形成该第一硅玻璃层和形成该掺杂层之后，执行该基底的高温处理工艺，其中执行该基底的高温处理工艺通过固相扩散工艺提供将第一种类的杂质趋入到该第一鳍中和将第二种类的杂质趋入到该第二鳍中，使得该第一鳍包括采用该固相扩散工艺形成的N型鳍式场效应晶体管装置的沟道，该第二鳍包括采用该气相扩散工艺和该固相扩散工艺形成的P型鳍式场效应晶体管装置的沟道。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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