[发明专利]采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，属于阻隔薄膜制作技术领域。其特点是等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。本发明方法相比于其他阻隔薄膜制作工艺，生产成本低，制备速度快，操作简便，无需真空设备，在大气压条件下即可完成，对规则或不规则的基材表面均可实施薄膜沉积，同时材料便于回收利用，安全环保，可广泛用于食品行业、医药行业、真空绝热板等高阻隔层的制备。

主权项

采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法，通过等离子体发生装置产生的等离子体与放电气体混合后沉积于基材上，其特征在于等离子体发生装置为常压射流式等离子体发生装置，通过输气管路引入放电气体，同时有机硅单体由载气携带进入射流枪内，与放电气体混合，在高压电极与接地射流头之间放电产生等离子体，形成纳米级薄膜气相成分，射流枪由高压电源驱动，等离子体经射流枪射流头喷出，在基材上沉积形成阻隔薄膜。