[发明专利]晶体管输出电阻频散特性的测量方法及系统在审
| 申请号： | 201410137354.0 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103913690A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 庞磊;陈晓娟;罗卫军;袁婷婷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 王立民;张应 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体管输出电阻频散特性的测量方法及系统，包括：为晶体管的栅极提供负向偏置电压；为晶体管的漏极提供正向偏置电压和交流信号；获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻；获取所述输出电阻与所述交流信号的选定频率之间的对应关系，以得到所述输出电阻频散特性。本发明的方法及系统可实现对晶体管输出电阻的频散特性的测量，并且具有测量简单且准确度高的特点，通过本发明的方法及系统获得的输出电阻频散特性，可以用来评价材料的生长质量、监测工艺流程、分析器件的物理特性参数，另外，本领域技术人员还可以利用该频散特性对大信号模型中频散子电路的输出电阻相关水进行修正，以更准确地建立大信号模型。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 输出 电阻 特性 测量方法 系统 | ||
【主权项】：
一种晶体管输出电阻频散特性的测量方法，其特征在于，包括：为晶体管的栅极提供负向偏置电压；为晶体管的漏极提供正向偏置电压和交流信号；获取晶体管在所述交流信号为选定频率下的输出电阻；获取所述输出电阻与所述交流信号的选定频率之间的对应关系，以得到所述晶体管输出电阻频散特性。
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