[发明专利]制造包括具有表面层的吸收层的光伏器件的方法

摘要

本发明提供了一种制造包括具有表面层的吸收层的光伏器件的方法。制造光伏器件的方法包括在衬底之上形成吸收层的步骤和在吸收层上形成表面层的步骤。吸收层包括I‑III‑VI₂化合物，该I‑III‑VI₂化合物包含I族元素、III族元素和VI族元素。表面层包括I‑III‑VI₂化合物，该I‑III‑VI₂化合物包含I族元素、III族元素和VI族元素且I族元素和III族元素的原子比在0.1到0.9的范围内。

主权项

1.一种形成光伏器件的方法，包括：在衬底之上形成吸收层，所述吸收层包括I‑III‑VI₂化合物，该I‑III‑VI₂化合物包含I族元素、III族元素和VI族元素，其中，形成所述吸收层的步骤包括：在所述衬底之上形成金属前体层；在300℃到550℃的范围内的温度下，在所述金属前体层上沉积含硫前体；在沉积所述含硫前体的步骤之后，在25℃到350℃的范围内的温度下沉积含硒前体；在400℃到600℃的范围内的温度下沉积含硒前体；和在500℃到800℃的范围内的温度下，使所述光伏器件退火；以及在所述吸收层上形成表面层，所述表面层包括I‑III‑VI₂化合物，该I‑III‑VI₂化合物包含I族元素、III族元素和VI族元素且I族元素与III族元素的原子比在0.7到0.9的范围内；其中，所述吸收层的I‑III‑VI₂化合物中的III族元素包括铟，所述铟掺杂有碱金属元素，其中，所述吸收层的底面上没有硫，所述吸收层的上表面上的硫与硒和硫的总量的原子比在0.1到1.0的范围内，所述表面层的I‑III‑VI₂化合物中的III族元素选自由Al和Tl所组成的组。