[发明专利]一种器件封装互联方法有效
| 申请号： | 201410135393.7 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104979224B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 苏瑞巩;黄宏娟;李晓伟;时文华;熊敏;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种器件封装互联方法，包括如下步骤（1）提供具有上、下台面电极的半导体芯片，其中，上台面电极高于下台面电极；（2）在所述上、下台面电极上分别施加焊料；（3）对焊料进行回流处理，使分布在所述上、下台面电极上的焊料分别形成第一和第二半球形，并且所述第二半球形的顶端与第一半球形的顶端处于同一水平面上；（4）将半导体芯片与导电基底之间通过焊料倒装互联，并在半导体芯片与导电基底之间填充封装材料。本发明通过在芯片的上、下台面上施加直径不同的焊料，经过回流，实现芯片高度差填平，操作简便快捷，并与现有工艺兼容，能够实现芯片的大面积可靠倒装封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 器件 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种器件封装互联方法，其特征在于包括如下步骤：(1)提供具有上台面电极和下台面电极的半导体芯片，其中，上台面电极高于下台面电极；(2)在所述上台面电极和下台面电极上分别施加焊料，所述焊料采用铟柱；(3)对焊料进行回流处理，使分布在所述上台面电极和下台面电极上的焊料分别形成第一半球形和第二半球形，所述第二半球形的顶端与第一半球形的顶端处于同一水平面上，并且分布在所述上台面电极和下台面电极上的铟柱回流后的高度H满足下式：H=3cos2θ2(1+sinθ2)(2-sinθ2)h]]>其中，h为铟柱回流前高度，θ为铟回流浸润接触角；(4)将半导体芯片与导电基底之间通过焊料倒装互联，并在半导体芯片与导电基底之间填充封装材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
