[发明专利]增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件

摘要

本发明涉及一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，包括N型衬底，所述N型衬底上设置有N型外延层，其特征在于所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS，且它们之间设有隔离结构；本发明将三个VDMOS器件集成在一起，应用组合灵活多样，可用于LED驱动电源、电源适配器、充电器等电路中，不仅有利于系统集成和小型化，而且具有成本低，制成控制简单的优点；本发明在三个VDMOS器件之间采用隔离结构，能有效防止器件之间穿通。本发明具有兼容性好、可靠性高、制造成本低、易产业化等特点。

主权项

一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，包括N型衬底，所述N型衬底上设置有N型外延层，其特征在于：所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS、电流感应VDMOS和隔离结构，其中三类VDMOS器件共用漏极，增强型VDMOS和电流感应VDMOS共用栅极，所述隔离结构分别设置于所述增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS的源极之间；其中，所述增强型VDMOS的栅极和电流感应VDMOS的栅极通过金属共同连接到共用栅极；其中，所述隔离结构包括多晶硅场板，多晶硅场板下的N型外延上还设置有浮空P阱，浮空P阱位于P阱之间，所述多晶硅场板位于P阱的上端且向浮空P阱方向延伸，同时和浮空P阱有交叠；所述的多晶硅场板被二氧化硅介质所覆盖，所述多晶硅场板下设置有栅氧化层和场氧化层；其中，所述的多晶硅场板为两块，且为Z字形；其中，所述的耗尽型VMDOS和电流感应VDMOS版图能位于增强型VDMOS版图内部或者外部。