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[发明专利]报文关联方法、关联报文查询方法、装置、设备及介质-CN202210554975.3在审
发明人： 高伟钧;郑雯杰 -专利权人：中国建设银行股份有限公司
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G06F16/2455 文献下载
摘要：本申请涉及数据验证技术领域，具体涉及一种报文关联方法、关联报文查询方法、装置、设备及介质，用于解决对复杂报文进行查询时无法将同一流程报文一并统计出来的问题。该方法包括：获取第一报文；根据报文模板确定与第一报文对应的第一报文类型关联的第二报文类型；从已保存的第二报文类型的报文中确定与第一报文的内容匹配的第二报文；根据第二报文的设定位置包括的档案号，从业务档案集中确定第二报文所在的第一业务档案；将第一报文的标识信息保存在第一业务档案中，第一报文的标识信息与第二报文的标识信息关联。
报文关联方法查询装置设备介质

[发明专利]消除显示面板的驱动偏差的系统和方法-CN201610333505.9有效
发明人：陈隽;李耀生;高伟钧;李长辉 -专利权人：晶门科技有限公司
申请日： 2016-05-18 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种消除显示面板的驱动偏差的系统包括：驱动所述显示面板的多个源放大器；图像分析仪，被配置为接收图像帧的数据输入并分析所述数据输入；以及斩波模式控制器，与所述图像分析仪连接，被配置为基于所述图像分析仪的分析结果确定适合所述数据输入的斩波模式，并将所确定的斩波模式应用到所述多个源放大器。所述源放大器被分成N个组，所述斩波模式控制器被配置成通过单个斩波控制信号来驱动每个组内的源放大器。所述图像分析仪被配置为产生指示符，所述指示符指示被分析的所述图像数据是对应于一般图像，还是对应于预先记录的抑制图案图像中的一个。还提供一种消除显示面板的驱动偏差的方法。
消除显示面板驱动偏差系统方法

[发明专利]增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件-CN201410135185.7有效
发明人：陈利;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司;大连连顺电子有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种增强型、耗尽型和电流感应集成VDMOS功率器件，包括N型衬底，所述N型衬底上设置有N型外延层，其特征在于所述N型外延层上设置有增强型VDMOS、耗尽型VDMOS和电流感应VDMOS，且它们之间设有隔离结构；本发明将三个VDMOS器件集成在一起，应用组合灵活多样，可用于LED驱动电源、电源适配器、充电器等电路中，不仅有利于系统集成和小型化，而且具有成本低，制成控制简单的优点；本发明在三个VDMOS器件之间采用隔离结构，能有效防止器件之间穿通。本发明具有兼容性好、可靠性高、制造成本低、易产业化等特点。
增强耗尽电流感应集成 vdmos 功率器件

[发明专利]双向磁滞比较器电路及应用其的磁场传感器电路-CN201410246569.6有效
发明人：杨瑞聪;姜帆;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种双向磁滞比较器电路及应用其的磁场传感器电路，该双向磁滞比较器电路的特征在于：由偏置产生电路、磁滞反馈及调节电路、磁滞比较器、逻辑控制电路依次电性连接在一起；本发明另提供应用该与电源电压及电阻阻值无关的双向磁滞比较器电路的磁场传感器电路。本发明能够实现对正向或者负向差分电压信号进行比较，产生双向磁滞效果，而且对电源电压、电阻阻值均不敏感，对于检测N极或者S极磁场的磁场传感器电路具有很好的使用价值。
双向比较电路应用磁场传感器

[实用新型]PMOS管构成的二极管结构及具备该二极管的整流桥电路-CN201520393355.1有效
发明人：陈利;任连峰;姜帆;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本实用新型公开一种PMOS管构成的二极管结构及具备该二极管的整流桥电路，其中PMOS管构成的二极管结构，包括第一PMOS管(P1)、第二PMOS管(P2)和第三PMOS管(P3)，该二极管结构N端连接所述第一PMOS管(P1)栅端、所述第一PMOS管(P1)源端、所述第二PMOS管(P2)漏端和所述第三PMOS管(P3)栅端，该二极管结构P端连接所述第一PMOS管(P1)漏端、所述第二PMOS管(P2)栅端和所述第三PMOS管(P3)漏端，所述第二PMOS管(P2)源端连接所述第三PMOS管(P3)源端和所述第一PMOS管(P1)衬底。本实用新型电路结构使用普通CMOS工艺实现，能够很好的实现与控制电路的单片集成，为客户节省产品电路面积，节省成本，利于客户产品微型化。
pmos 构成二极管结构具备整流电路

[实用新型]可控温度系数的基准电压产生电路-CN201520393112.8有效
发明人：陈利;任连峰;姜帆;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可控温度系数的基准电压产生电路，包括一第一三极管(Q1)、一第二三极管(Q2)、一第三三极管(Q3)、一第四三极管(Q4)、一第一MOS管(M1)、一第二MOS管(M2)、一第三MOS管(M3)、一第四MOS管(M4)、一第五MOS管(M5)、一第一电阻(R1)和一第二电阻(R2)。本实用新型可产生不同正温度系数和负温度系数的基准电压，可集成于芯片中，适用于不同应用环境下电子产品或电子元件所需的温度补偿。
可控温度系数基准电压产生电路

[实用新型]磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器-CN201520393065.7有效
发明人：姜帆;陈利;杨瑞聪;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本实用新型公开一种磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器，其中，磁传感器双向灵敏度调整电路包括一霍尔盘HP，还包括一由第十PMOS管M10和第十一PMOS管M11组成的第一电流镜、由第一NMOS管M1和第二NOMS管M2组成的第二电流镜、由第七NMOS管M7和第八NMOS管M8组成的第三电流镜，由第三PMOS管M3和第四NMOS管M4组成的反相器以及一电流源组。本实用新型通过在霍尔传感器芯片上集成双向灵敏度调整电路，对芯片的成品进行修调，提高产品良率，并可通过调整传感器的灵敏度，产品调整至目标磁场灵敏度，有效的针对目标客户。
传感器双向灵敏度调整电路具备

[实用新型]一种增益可调整的放大器电路及具有该电路的霍尔传感器-CN201520393654.5有效
发明人：姜帆;陈利;杨瑞聪;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H03G3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增益可调整的放大器电路及具有该电路的霍尔传感器，该放大器电路包括第一放大器、第二放大器、第一比例电阻、第二比例电阻、开关电阻阵列，其中，所述的开关电阻阵列连接在第一放大器的反相输入端和第二放大器的反相输入端之间，且，所述第一放大器的输出端与所述的开关电阻阵列之间串联设置有第一比例电阻，所述第二放大器的输出端与所述的开关电阻阵列之间串联设置有第二比例电阻；从而实现增益的双向调整功能，调整更方便，并通过修调放大器的增益，调整霍尔传感器芯片对磁场的灵敏度，能够针对特定的灵敏度需求，其制得的霍尔传感器的精度更高。
一种增益可调整放大器电路具有霍尔传感器

[实用新型]可调幅稳频、调频的斜波产生电路-CN201520393319.5有效
发明人：姜帆;陈利;杨瑞聪;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H03K4/501 文献下载
摘要：本实用新型公开一种可调幅稳频、调频的斜波产生电路，其特征在于，包括：一斜波幅值基准电路，一斜波振荡电路以及一斜波输出驱动电路。本实用新型采用镜像电流调节电路设计实现斜波发生电路在调整斜波幅值时输出斜波频率的稳定，保证了采用该斜波电路的模数信号转换电路转换结果的精度稳定。
调幅调频产生电路

[实用新型]双向磁滞比较器电路及磁传感器电路-CN201420296254.8有效
发明人：杨瑞聪;姜帆;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;大连连顺电子有限公司;友顺科技股份有限公司
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： G01R33/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双向磁滞比较器电路及磁传感器电路，该双向磁滞比较器电路特征在于：由偏置及磁滞反馈调节电路、磁滞比较器、逻辑控制电路依次电性连接在一起；本实用新型另提供应用该双向磁滞比较器电路的磁传感器电路。本实用新型能够实现对正向或者负向差分电压信号进行比较，产生双向磁滞效果，而且对电源电压、电阻阻值均不敏感，对于检测N极或者S极磁场的磁传感器电路具有很好的使用价值。
双向比较电路传感器

[实用新型]一种可集成的高压LDMOS器件-CN201420163189.1有效
发明人：陈利;高耿辉;高伟钧 -专利权人：厦门元顺微电子技术有限公司;友顺科技股份有限公司;大连连顺电子有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种可集成的高压LDMOS器件结构，其中包括P型衬底、高压N阱漂移区、P型降场区、场氧化层、栅氧化层、多晶硅栅、多晶硅场板、P型基区、N型漏区缓冲层、N+源区、N+漏区、P+接触区、低温淀积氧化层、金属铝；其特征在于：在无外延单晶衬底上采用P型降场区、多晶硅和金属双层场板、N型漏区缓冲层组合优化结构；有效解决了击穿电压和导通电阻之间的矛盾，同时提高了器件的可靠性。本实用新型采用无外延单晶高压BCD工艺，少了埋层、隔离、外延等工序，降低了制造成本，具有较强的实用性。
一种集成高压 ldmos 器件

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