[发明专利]晶圆的切割方法和MEMS晶圆的切割方法在审
| 申请号： | 201410133505.5 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104973562A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 肖启明;江博渊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种晶圆的切割方法和MEMS晶圆的切割方法，在MEMS晶圆的切割方法中，在沿列方向延伸的切割道内形成沿列方向的第一凹槽；在沿行方向延伸的切割道内形成沿行方向的第二凹槽；形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分别沿所述第一凹槽和第二凹槽继续切割所述第二晶圆，直至切割透所述第二晶圆。上述技术方案中，在形成第二凹槽后，可有效移除部分形成第一凹槽和第二凹槽后，产生的第二晶圆的残留粉末，从而有效减少后续切割透第二晶圆后，散落在第一晶圆上的粉末，降低第一晶圆被残留粉末的污染程度。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 mems | ||
【主权项】：
一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括：提供待切割晶圆，所述待切割晶圆包括多条分别沿第一方向和第二方向延伸的切割道，所述第一方向和第二方向垂直；在沿第一方向延伸的切割道内形成沿第一方向的第一凹槽；在沿第二方向延伸的切割道内形成沿第二方向的第二凹槽；形成所述第一凹槽和第二凹槽后，分别沿所述第一凹槽和第二凹槽继续切割所述待切割晶圆，直至切割透所述待切割晶圆。
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