[发明专利]沟槽隔离结构、其制作方法及半导体器件和图像传感器

摘要

本申请公开了一种沟槽隔离结构、其制作方法及半导体器件和图像传感器。其中，该沟槽隔离结构包括设置于衬底中的浅沟槽，设置于浅沟槽中的隔离物质层，以及设置于浅沟槽与隔离物质层之间的外延结构，其中外延结构包括至少一层由原位掺杂形成的外延层。上述外延层由浅沟槽的内壁向外沉积而成，其能够与浅沟槽的内表面形成紧密的结合界面，从而避免了在浅沟槽的内壁与外延层之间的结合处产生漏电流，同时通过原位掺杂的方式能够使外延层的成分或结构发生变化，从而进一步减少载流子在外延层中的迁移，并进一步减少半导体器件中存在的漏电流。

主权项

1.一种沟槽隔离结构，包括设置于衬底中的浅沟槽，以及设置于所述浅沟槽中的隔离物质层，其特征在于，所述沟槽隔离结构还包括：外延结构，设置于所述浅沟槽与所述隔离物质层之间，所述外延结构包括至少一层由原位掺杂形成的外延层；所述外延结构包括：第一外延层，设置于所述浅沟槽与所述隔离物质层之间；以及第二外延层，设置于所述第一外延层与所述隔离物质层之间；所述外延结构中，所述第一外延层中所述掺杂元素为硼；所述第二外延层中所述掺杂元素为碳。