[发明专利]一种FIB直写加工制备SERS基底的优化加工方法有效
申请号: | 201410128552.0 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104020715A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 徐宗伟;李康;房丰洲;高婷婷;申雪岑;徐晓轩 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G05B19/18 | 分类号: | G05B19/18;B81C1/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 程毓英 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种FIB直写加工制备SERS基底的优化加工方法,采用具有可以进行电子束扫描(SEM)和离子束(FIB)加工的聚焦离子束-电子束的双束系统,包括下列步骤:将待加工基底置于双束系统样品室,并通过电子束成像系统进行形貌观测;预留一定加工宽度,按照目标图形利用聚焦离子束对基底进行离子刻蚀加工;利用电子束或离子束扫描成像系统实时观测加工过程和结果;将样品取出样品室放入镀膜设备,调整参数与离子束加工结构和尺寸相结合在加工样品表面精确蒸镀金膜,并将镀膜后的样品作为拉曼散射增强基底。本发明提出的方法,能显著提高SERS基底的灵敏度和稳定性。 | ||
搜索关键词: | 一种 fib 加工 制备 sers 基底 优化 方法 | ||
【主权项】:
一种FIB直写加工制备SERS基底的优化加工方法,采用具有可以进行电子束扫描(SEM)子系统和离子束(FIB)加工的子系统的聚焦离子束‑电子束的双束系统,包括下列步骤:(1)将待加工基底置于双束系统样品室,并通过电子束扫描系统进行形貌观测;(2)预留一定加工宽度,按照目标图形利用聚焦离子束对基底进行离子刻蚀加工;(3)利用电子束扫描子系统或离子束加工子系统实时观测加工过程和结果;(4)将样品取出样品室放入镀膜设备,调整参数与离子束加工结构和尺寸相结合在加工样品表面精确蒸镀金膜,并将镀膜后的样品作为拉曼散射增强基底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学,未经天津大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410128552.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:治疗干燥综合征的中药组合物
- 下一篇:静水压力状态下局部单向动态卸载装置