[发明专利]金属淀积方法及去除沟槽尖角的方法在审
| 申请号： | 201410123156.9 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104952722A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 马俊;刘伟杰;李振国;陈雷;周文磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/283 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种金属淀积方法及去除沟槽尖角的方法。在对衬底进行金属淀积之前，先湿法刻蚀衬底上的介质层，使得介质层上的沟槽更圆滑。如此一来，在进行金属淀积时就避免了可能出现在沟槽中且无法被合金化所消除的沟槽空洞。本发明解决了形状不规则的沟槽在金属淀积时易出现无法消除的空洞的技术问题，使得各种形状的沟槽均得以顺利进行金属淀积制程。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 方法 去除 沟槽 | ||
【主权项】：
一种金属淀积方法，包含：提供一衬底，所述衬底表面形成有具有沟槽的介质层；湿法刻蚀所述介质层以平滑所述沟槽的表面；进行金属淀积工艺在沟槽和介质层上形成金属层；以及对所述衬底进行合金化工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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