[发明专利]近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法

摘要

本发明公开了一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，该方法通过在近零偏时测量出器件表面暗电流在总暗电流中所占组分比值从而根据公式得到表面暗电流的大小，其中，p为器件台面的截面周长，S为器件的台面面积，a为直线的斜率，b为直线的截距，I为所测得不同尺寸器件的I-V特性中在趋近于零的负偏压下所对应的器件总暗电流大小。

主权项

一种近零偏时半导体红外光电探测器表面暗电流的测量方法，其特征在于，该方法包括：步骤1：采用变尺寸光刻版对样品进行光刻，在样品表面形成多组不同尺寸的器件；步骤2：对表面形成多组不同尺寸器件的样品进行解理，得到包含一组不同尺寸器件的芯片A，并将芯片A粘在铜热沉上；步骤3：在铜热沉表面芯片A的周围制作多个焊点，通过球焊工艺将芯片A的不同尺寸器件的上电极引出至铜热沉上对应的焊点上；步骤4：取一塑料面包板，在塑料面包板表面四周制作多个焊点，采用绝缘导线将塑料面包板上的焊点与源表相连接，制成测试夹具B；步骤5：将铜热沉粘在塑料面包板上，并通过球焊工艺将铜热沉上的各个焊点用微带线引出至面包板上对应的焊点上，制成包含待测芯片A的被测器件C；步骤6：将被测器件C放入不透光的密闭容器中，倒入液氮，盖上容器盖；步骤7：用源表分别测量被测器件C中包含的芯片A上不同尺寸器件的I‑V特性，并计算出对应于不同尺寸器件的零偏动态电阻R₀与器件台面面积S的乘积的倒数步骤8：做出芯片A上那一组不同尺寸器件的变尺寸图像，不同尺寸的器件对应图中的一个点，横坐标为对应于该组各尺寸器件的p/S值，单位为cm^‑1，其中p为器件台面的截面周长，S为器件的台面面积；纵坐标为测量得到的所述对应于各不同尺寸器件的零偏动态电阻与台面面积乘积的倒数单位为(Ω·cm²)^‑1，用最小二乘法线性拟合后，得到直线的斜率a和截距b；步骤9：通过所述的斜率a和截距b求出在器件的正常工作温度范围内，外加偏压为接近零的负偏压时，台面面积为S，截面周长为p的器件表面暗电流占总暗电流的比值结合测得的器件I‑V特性，可以计算出在近零偏的负偏压下表面暗电流为