[发明专利]一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法

摘要

本发明公开了一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相粉末；b）按RE123+（1～15）wt.%CaCO₃+（0.3～1.5）wt%CeO₂的配比制备第一前驱体；c）按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO₂的配比制备第二前驱体；c）籽晶放置在第一前驱体的上表面，第一前驱体放置在第二前驱体的上表面；d）将工序c）所得样品置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导块体。本发明操作简单，通过添加第二前驱体，有效抑制高温熔融状态下Ba-Cu-O液体的流失，有利于诱导生长长满的钙掺杂的REBCO高温超导准单晶体。

主权项

一种生长钙掺杂REBCO高温超导准单晶体的方法，包括如下工序：a）制备RE123相的粉末；b）制备前驱体；c）将籽晶放置在所述前驱体的上表面；d）将所述前驱体和所述籽晶置于生长炉中进行熔融织构生长高温超导材料；其特征在于，所述工序b）中的所述前驱体包括第一前驱体和第二前驱体，所述第一前驱体为所述工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（1～15）wt.%CaCO₃+（0.3～1.5）wt%CeO₂的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；所述第二前驱体为所述工序a）获得的RE123相的粉末按RE123+（0.3～1.5）wt%CeO₂的比例混合均匀，压制而成的圆柱形前驱体；所述工序c）中，所述籽晶放置在所述第一前驱体的上表面，所述第一前驱体放置在所述第二前驱体的上表面。