[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410117475.9 | 申请日： | 2014-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN104952919B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的具有第一掺杂类型的阱区；形成在半导体衬底上的具有所述第一掺杂类型的阱区外延层；形成在所述阱区外延层上的自下而上层叠的具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的掺杂外延层和具有所述第一掺杂类型的漏区外延层；形成在由自下而上层叠的阱区外延层、掺杂外延层和漏区外延层构成的叠层结构的两侧的栅极介电层；形成在栅极介电层外侧的栅极材料层，栅极介电层和栅极材料层构成双栅极结构；形成在双栅极结构和半导体衬底之间的隔离层；形成在阱区外延层的底角和阱区中的具有第二掺杂类型的源区。根据本发明，可以提升器件排布密度和工艺集成度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底中的具有第一掺杂类型的阱区；形成在所述半导体衬底上的具有所述第一掺杂类型的阱区外延层；形成在所述阱区外延层上的自下而上层叠的具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的掺杂外延层和具有所述第一掺杂类型的漏区外延层；形成在由自下而上层叠的所述阱区外延层、所述掺杂外延层和所述漏区外延层构成的叠层结构的两侧的栅极介电层；形成在所述栅极介电层的外侧的栅极材料层，所述栅极介电层和所述栅极材料层构成双栅极结构；形成在所述双栅极结构和所述半导体衬底之间的隔离层；形成在所述阱区外延层的底角和所述阱区中的具有所述第二掺杂类型的源区。
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