[发明专利]等离子处理装置以及等离子处理方法

摘要

本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方且覆盖保持片(6)和框(7)，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖子(31)；和将盖子(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置的驱动机构(38)。第2位置是盖子(31)与保持片(6)、框(7)、以及基板(2)不接触的位置。盖子(31)至少具备向框(7)的上表面延伸的顶面(36b)、和相对于在框(7)的内径侧露出的保持片(6)的上表面逐渐接近地倾斜的倾斜面(36c)。

主权项

1.一种等离子处理装置，其对由保持片和在所述保持片的外周缘附近的粘着面贴着的环状的框构成的输送载体所保持的基板实施等离子处理，所述等离子处理装置的特征在于，具备：室，其具有能够减压的内部空间；等离子源，其在所述室内产生等离子；台，其设置于所述室内并载置所述输送载体，并且所述台具备电极部和包围所述电极部的封装部；盖子，其配置于所述台的上方并覆盖所述保持片和所述框，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部；和驱动机构，其将所述盖子相对于所述台的相对位置，变更为第1位置和第2位置，其中所述第1位置是离开所述台并容许所述输送载体相对于所述台的装卸的位置，所述第2位置是所述盖子覆盖在所述台上载置的所述输送载体的所述保持片和所述框、且所述窗部使保持于所述保持片的所述基板露出的位置，所述第2位置是所述盖子与所述保持片、所述框、以及所述基板不接触的位置，所述盖子的下表面至少具备：最外周部；内周面，其从所述最外周部的内周缘向上方延伸；顶面，其从所述内周面的上端向着所述框的内周部上方侧与所述框的上表面平行地延伸；倾斜面，其与所述顶面连续设置，且相对于在所述框的内径侧露出的保持片的上表面逐渐接近地倾斜并且向斜下方延伸，所述盖子的所述最外周部在所述第2位置与所述封装部抵接。