[发明专利]一种等离子体处理腔室及其基台在审
| 申请号： | 201410113448.4 | 申请日： | 2014-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN104952682A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 吴狄;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于等离子体处理腔室及其基台，其中，所述基台包括：基台基体，其中设置有冷却液通道；基台基体的上层结构包括：第二绝缘层，其中设置有加热器；以及直接设置于该第二绝缘层之上的第一绝缘层，其中设置有静电电极；其中，在所述基台基体的所述冷却液通道上表面所在平面与所述第二绝缘层下表面之间的材料层中设置有若干空洞。本发明提供的一种等离子体处理腔室及其基台能够极大地增加基台中的基体中冷却液通道和第二绝缘层中内嵌的加热器之间的温度差，以满足制程所需。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 处理 及其 | ||
【主权项】：
一种用于等离子体处理腔室的基台，其中，所述基台包括：基台基体，其中设置有冷却液通道；基台基体的上层结构包括：第二绝缘层，其中设置有加热器；以及直接设置于该第二绝缘层之上的第一绝缘层，其中设置有静电电极；其中，在所述基台基体的所述冷却液通道上表面所在平面与所述第二绝缘层下表面之间的材料层中设置有若干空洞。
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