[发明专利]芯片背面涂覆锡膏的装片方法

摘要

本发明涉及一种芯片背面涂覆锡膏的装片方法，以具有充氮阀、抽真空泵和循环风机的烘箱为工艺装备，而其：所述装片的步骤依次是：将芯片背面涂覆锡膏并与框架组装后送至烘箱内，而烘箱进行抽真空充氮；开启真空阀，烘烤温度在150～220℃范围内，此时，锡膏所含的溶剂和助焊剂气化，并随着氮气被真空泵抽离；待烘烤温度提高至250～300℃范围内时，锡膏所含的锡球颗粒被熔化；关闭烘箱的充氮阀，并继续抽真空；将烘箱内的温度进行降温，关闭真空阀，并进行充氮，使烘箱内的内压为1个标准大气压，则完成芯片背面与框架焊接的装片工作。本发明具有工艺合理，生产成本低，且芯片的焊接空洞率小于1%，转角可控制小于1°范围内等优点。

主权项

一种芯片背面涂覆锡膏的装片方法，以具有充氮阀、装有真空阀的抽真空泵和内循环风机的烘箱为工艺装备，以芯片和芯片框架为出发工件，其特征在于：所述装片的步骤依次是：步骤a、将芯片背面涂覆锡膏并与芯片框架组装后送至烘箱内，打开真空阀进行抽真空，而充氮阀关闭，待烘箱的内压在0.05～0.15Pa范围内时，再打开充氮阀注入氮气，令烘箱的内压维持在0.5～0.6Pa范围内，并开启内循环风机；步骤b、对烘箱内进行升温对工件进行烘烤，而烘烤温度在150～220℃范围内，此时，锡膏所含的溶剂和助焊剂气化，并随着氮气被抽真空泵抽离；步骤c、在所述工件经步骤b将锡膏的溶剂和助焊剂气化并被抽离情况下，将烘箱内的温度持续进行升温对工件进行烘烤，待烘烤温度提高至250～300℃范围内时，所述锡膏所含的锡球颗粒被熔化；步骤d、在所述工件经步骤c将锡膏的锡球颗粒被熔化情况下，停止加热并关闭烘箱的充氮阀和内循环风机，且继续抽真空，待烘箱的内压在0.05～0.15Pa范围内时，再次打开充氮阀和内循环风机，令烘箱的内压保持在0.5～0.6Pa范围内；步骤e、在所述工件经步骤d后，将烘箱内的温度进行降温，待烘箱内的温度在15～25℃范围内时，关闭真空阀，使得烘箱内的内压降为1个标准大气压，尔后关闭充氮阀和内循环风机，则完成芯片背面与芯片框架焊接的装片工作。