[发明专利]双栅MOS结构的功率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201410111358.1 | 申请日： | 2014-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN103872136A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 张景超;戚丽娜;刘利峰;王晓宝;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双栅MOS结构的功率晶体管，栅氧化层位于第一掺杂层上，第二掺杂层位于第一掺杂层内并与栅氧化层相连，第三掺杂层位于第二掺杂层内并与栅氧化层相连，绝缘介质层覆在有源区原胞的多晶硅层上，金属层覆在绝缘介质层上并延伸至有源区原胞的引线孔内与第三掺杂层和第二掺杂层相接导通，有源区原胞的多晶硅层包括由绝缘介质层隔离、且相互不连接的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅，第一多晶硅栅和第二多晶硅栅分别通过各自金属引线连接到各自对应的栅极焊接区域，以分别控制第一多晶硅栅和第二多晶硅栅。本发明结构简单，将多晶硅层分割成两个能分别控制的多晶硅栅，能灵活控制电流沟道密度，使器件达到最佳性能状态。 | ||
| 搜索关键词： | 双栅 mos 结构 功率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种双栅MOS结构的功率晶体管，包括金属层(7)、绝缘介质层(6)、多晶硅层、栅氧化层（4）、第三掺杂层（1）以及第二掺杂层(2)和第一掺杂层(3)，栅氧化层（4）位于第一掺杂层(3)上，第二掺杂层(2)位于第一掺杂层(3)内并与栅氧化层（4）相连，第三掺杂层（1）位于第二掺杂层(2)内并与栅氧化层（4）相连，绝缘介质层(6)覆在有源区原胞的多晶硅层上，金属层(7)覆在绝缘介质层(6)上，金属层(7)延伸至有源区原胞的引线孔(8)内与第三掺杂层（1）和第二掺杂层(2)相接导通，其特征在于：所述有源区原胞的多晶硅层包括由绝缘介质层(6)隔离、且相互不连接的至少一个第一多晶硅栅(51)和至少一个第二多晶硅栅(52)，且第一多晶硅栅(51)和第二多晶硅栅(52)分别通过各自金属引线连接到各自对应的栅极焊接区域，以分别控制第一多晶硅栅(51)和第二多晶硅栅(52)。
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