[发明专利]宽带低噪声放大器

摘要

本发明提供了一种宽带低噪声放大器，其包括第一双极型晶体管，第二双极型晶体管，第三双极型晶体管，第四双极型晶体管，第五双极型晶体管，第六双极型晶体管，第七双极型晶体管，第一MOS管，第二MOS管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容。该宽带低噪声放大器在保障宽带低噪声放大器良好的增益特性、良好的噪声特性的情况下，减小了芯片面积，同时实现了增益可调节。 1

主权项

1.一种宽带低噪声放大器，其特征在于该宽带低噪声放大器包括：第一双极型晶体管(Q1)，第二双极型晶体管(Q2)，第三双极型晶体管(Q3)，第四双极型晶体管(Q4)，第五双极型晶体管(Q5)，第六双极型晶体管(Q6)，第七双极型晶体管(Q7)，第一MOS管(M1)，第二MOS管(M2)，第一电阻(R1)，第二电阻(RC1)，第三电阻(RB2)，第四电阻(RC2)，第五电阻(RE2)，第六电阻(RC3)，第七电阻(RE4)，第八电阻(RC5)，第九电阻(RE5)，第一电容(C1)，第二电容(CE4)，第三电容(CE5)，第四电容(CB6)，其中：第一双极型晶体管(Q1)的基极同时连接第三电阻(RB2)的第一端以及第二双极型晶体管(Q2)的集电极，第一双极型晶体管(Q1)的发射极同时连接第四双极型晶体管(Q4)的基极、第一电阻(R1)的第一端以及第一电容(C1)的第一端，第一双极型晶体管(Q1)的集电极连接第二电阻(RC1)的第一端以及第三双极型晶体管(Q3)的基极；第二双极型晶体管(Q2)的基极连接第三电阻(RB2)的第二端，第二双极型晶体管(Q2)的发射极连接第五电阻(RE2)的第一端，第二双极型晶体管(Q2)的集电极连接第四电阻(RC2)的第一端；第三双极型晶体管(Q3)的集电极同时连接第六电阻(RC3)的第一端、第四双极型晶体管(Q4)的集电极以及第五双极型晶体管(Q5)的基极；第四双极型晶体管(Q4)的发射极同时连接第七电阻(RE4)的第一端以及第二电容(CE4)的第一端；第五双极型晶体管(Q5)的发射极同时连接第九电阻(RE5)的第一端以及第三电容(CE5)的第一端；第五双极型晶体管(Q5)的集电极同时连接第八电阻(RC5)的第一端以及第四电容(CB6)的第一端，第四电容(CB6)的第二端同时连接第六双极型晶体管(Q6)的基极、第七双极型晶体管(Q7)的发射极以及第一MOS管(M1)的漏极；第六双极型晶体管(Q6)的集电极同时连接第七双极型晶体管(Q7)的基极以及第一MOS管(M1)的源极；第一MOS管(M1)的栅极与第二MOS管(M2)的栅极分别连接第一可调电压源与第二可调电压源；第四电阻(RC2)的第二端、第二电阻(RC1)的第二端、第六电阻(RC3)的第二端、第八电阻(RC5)的第二端、第七双极型晶体管(Q7)的集电极以及第二MOS管(M2)的漏极都连接3.3V的电源电压VCC；第五电阻(RE2)的第二端、第三双极型晶体管(Q3)的发射极、第一电阻(R1)的第二端、第一电容(C1)的第二端、第七电阻(RE4)的第二端、第二电容(CE4)的第二端、第九电阻(RE5)的第二端、第三电容(CE5)的第二端、第一MOS管(M1)的源极以及第六双极型晶体管(Q6)的发射极都连接接地端；其中，第一双极型晶体管(Q1)的发射极是所述宽带低噪声放大器的信号输入端，第五双极型晶体管(Q5)的集电极是所述宽带低噪声放大器的信号输出端；第一双极型晶体管(Q1)、第二双极型晶体管(Q2)、第三双极型晶体管(Q3)、第四双极型晶体管(Q4)、第五双极型晶体管(Q5)、第六双极型晶体管(Q6)以及第七双极型晶体管(Q7)均为锗硅异质结双极型晶体管。