[发明专利]一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法

摘要

本发明提出一种新的外延生长方法，能够有效的提升LED芯片的ESD。本发明在生长n区和p区的过程中，采用了掺杂超晶格结构周期性插入结构。由于超晶格结构能够改变界面电子和空穴的浓度，电子和空穴在电流作用下运动过程中，能够通过超晶格界面将电流有效地扩展；扩展后的分散电流较之前更加均匀分布，然后经过下一个超晶格界面后再重新分布扩充。在电子和空穴注入有源区之前，经过多次的电流扩展，能够极大地提升自身的抗静电能力；同时，周期性垂直穿插超晶格使得外延在生长的过程中位错和缺陷得到阻挡，尤其是穿透位错极大的减小，减小了漏电通道从而提升了ESD性能。

主权项

一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法，包括以下步骤：(1)在蓝宝石衬底上生长低温GaN缓冲层；(2)生长高温GaN层；(3)生长掺杂n型GaN层；(4)生长InGaN/GaN多量子阱层；(5)生长掺杂p型AlGaN层；(6)生长掺杂p型GaN；(7)最后在氮气氛围下退火；其中，步骤(3)在生长过程中周期性垂直穿插掺杂n型InGaN/GaN超晶格层，且步骤(5)在生长过程中周期性垂直穿插掺杂p型AlGaN/GaN超晶格层。